С помощью программного обеспечения COMSOL multiphysics была выполнена двумерная физическая симуляция фотоустройства на гетероструктуре на основе Ga₂O₃/VO₂. Были проанализированы и представлены кривые легирования, энергетические уровни, распределение электрического поля и потенциала для фотоустройства на гетероструктуре с фазовым переходом VO₂. Исследована возможность применения устройства в фотодетекторах; по результатам моделирования при смещении 1 В и освещении 10 μВт достигнута пиковая чувствительность 0,068 А/Вт, отношение подавления (R_{250 nm}/R_{450 nm}) достигло порядка 10⁵. Данные симуляции полезны для дальнейшей оптимизации экспериментальных исследований и применения фотодиодов Ga₂O₃/VO₂.

Гетероструктура Ga₂O₃/VO₂;COMSOL;Фазовый переход VO₂;Энергетическая структура;Симуляция