Mit Hilfe der Software COMSOL multiphysics wurde eine zweidimensionale physikalische Simulation von heterojunktionalen optoelektronischen Bauelementen auf Ga₂O₃/VO₂-Basis durchgeführt. Es wurden Dotierungskurven, Energieniveauschaltbilder, Verteilung des elektrischen Feldes und des Potentials der auf der VO₂-Phasenübergang-Steuerung basierenden Ga₂O₃/VO₂-Heterojunktion optoelektronischen Bauelemente analysiert und berichtet. Die Anwendung des Bauelements als Photodetektor wurde untersucht; im Simulationsergebnis betrug die Spitzenreaktionsrate unter einer Vorspannung von 1 V und einer Beleuchtungsstärke von 10 μW 0,068 A/W, das Unterdrückungsverhältnis (R_{250 nm}/R_{450 nm}) erreichte die Größenordnung von 10⁵. Diese Simulationsdaten sind hilfreich zur weiteren Optimierung der experimentellen Forschung und Anwendung von Ga₂O₃/VO₂-Photodioden.

Ga₂O₃/VO₂ Heterojunktion;COMSOL;VO₂ Phasenübergang;Energieniveaustruktur;Simulation