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高功率1 150 nm垂直外腔面发射半导体激光器
器件制备及器件物理 | 更新时间：2026-09-12

    • 高功率1 150 nm垂直外腔面发射半导体激光器

      增强出版

    • High Power 1 150 nm Vertical External-cavity Surface Emitting Semiconductor Laser

    • 发光学报   2024年45卷第9期 页码：1531-1538

    • DOI：10.37188/CJL.20240126    

      中图分类号： TN248.4

    • 收稿：2024-05-08，

      修回：2024-05-22，

      纸质出版：2024-09-25

    移动端阅览

  • 张志军,陈贺,张卓等.高功率1 150 nm垂直外腔面发射半导体激光器[J].发光学报,2024,45(09):1531-1538. DOI： 10.37188/CJL.20240126.

    ZHANG Zhijun,CHEN He,ZHANG Zhuo,et al.High Power 1 150 nm Vertical External-cavity Surface Emitting Semiconductor Laser[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(09):1531-1538. DOI： 10.37188/CJL.20240126.

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