Laser à semiconducteur à émission de face externe verticale haute puissance à 1150 nm

ZHANG Zhijun ,  

CHEN He ,  

ZHANG Zhuo ,  

LIU Zhijun ,  

ZHANG Jianwei ,  

DU Ziye ,  

ZHOU Yinli ,  

ZHANG Xing ,  

CHEN Chao ,  

NING Yongqiang ,  

WANG Lijun ,  

摘要

En réponse aux besoins actuels d'application du laser orange-jaune dans les domaines de la médecine laser, du contrôle des aliments et des médicaments, une étude a été menée sur un laser à semiconducteur à émission de face externe verticale (VECSEL) à onde fondamentale haute puissance de 1150 nm. Une structure de cavité externe à grande tache de mode fondamental dans la cavité laser a été proposée, permettant un bon appariement du mode intrarésonateur avec une grande tache de pompage, réalisant ainsi une sortie laser haute puissance ; une structure de désaccord entre le pic de gain et le mode de cavité a été proposée, où les coefficients de dérive thermique du pic de gain et du mode de cavité sont différents, permettant un bon appariement gain-mode sous une pompe à haute puissance, assurant un contrôle stable de la longueur d'onde laser sous une haute puissance de pompage. La puissance de sortie du dispositif VECSEL préparé à une longueur d'onde de 1150 nm a atteint 9,38 W, avec une forme de tache de sortie symétrique circulaire de bonne qualité, et des angles de divergence dans les directions orthogonales de 7,3° et 7,5°, respectivement.

关键词

Laser à semiconducteur; laser à semiconducteur à émission de face externe verticale; puce d’amplification; puits quantiques déformés

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