En respuesta a la demanda actual de aplicaciones del láser naranja-amarillo en campos como la medicina láser y la detección de alimentos y medicamentos, se llevó a cabo una investigación sobre un láser semiconductor de emisión de cavidad externa vertical de modo fundamental de alta potencia a 1150 nm (VECSEL). Se propuso una estructura de cavidad externa con un modo fundamental de gran tamaño dentro de la cavidad del láser para lograr un acoplamiento de modo con un gran tamaño de mancha de bombeo, logrando una salida de láser de alta potencia; se propuso una estructura de desajuste entre el pico de ganancia y el modo de la cavidad, donde los coeficientes de deriva térmica del pico de ganancia y del modo de la cavidad son diferentes, lo que proporciona un buen acoplamiento pico de ganancia-modo de cavidad bajo alta potencia de bombeo, logrando un control estable de la longitud de onda del láser bajo condiciones de alta potencia de bombeo. La potencia de salida del dispositivo VECSEL preparado a la longitud de onda 1150 nm alcanzó los 9,38 W, y se obtuvo un perfil de mancha de salida de forma circular y simétrica, con ángulos de divergencia en direcciones ortogonales de 7,3° y 7,5°, respectivamente.

Láser semiconductor; láser semiconductor de emisión de cavidad externa vertical; chip de ganancia; pozos cuánticos deformados