Hochleistungs-1150-nm-vertikaler äußerer Resonator-Halbleiterlaser

ZHANG Zhijun ,  

CHEN He ,  

ZHANG Zhuo ,  

LIU Zhijun ,  

ZHANG Jianwei ,  

DU Ziye ,  

ZHOU Yinli ,  

ZHANG Xing ,  

CHEN Chao ,  

NING Yongqiang ,  

WANG Lijun ,  

摘要

Als Reaktion auf den aktuellen Bedarf an Anwendungen des orange-gelben Lasers in den Bereichen Lasermedizin und Lebensmittel- und Arzneimittelprüfungen wurde eine Studie zu einem hochleistungsfähigen vertikalen äußerlichen Resonator-Halbleiterlaser (VECSEL) mit 1150 nm Grundfrequenz durchgeführt. Es wurde eine äußere Resonatorstruktur mit großem Grundmoden-Spot in der Laserkavität vorgeschlagen, um eine Modenanpassung im VECSEL mit großer Pumpstrahlgröße zu erreichen und eine Hochleistungslaserausgabe zu realisieren; eine Verstärkungspeak-Kavitätenmoden-Entkopplungsstruktur wurde vorgeschlagen, bei der die thermischen Driftkoeffizienten von Verstärkungspeak und Kavitätsmode unterschiedlich sind, was bei hoher Pumpleistung eine gute Übereinstimmung von Verstärkungspeak und Kavitätsmode ermöglicht und eine stabile Wellenlängensteuerung unter hoher Pumpleistung gewährleistet. Die Ausgangsleistung des hergestellten VECSEL-Geräts bei 1150 nm Laserwellenlänge erreichte 9,38 W, und es wurde ein gut symmetrisches kreisförmiges Ausgabefleckmorphologie erhalten, mit Divergenzwinkeln in orthogonalen Richtungen von 7,3° und 7,5°.

关键词

Halbleiterlaser; vertikaler äußerer Resonator-Halbleiterlaser; Verstärkerchip; verzerrte Quantenmulden

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