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高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器
更新时间：2024-06-12
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    • 高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器

      增强出版

    • High power 1150 nm vertical external-cavity surface emitting semiconductor laser

    • “在激光医疗和食品药品检测领域，研究人员开发了高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器（VECSEL），通过大尺寸基模光斑外腔结构和增益峰-腔模失谐结构，实现了9.38 W的高功率激光输出和稳定的激光波长控制。”
      ”
    • 发光学报   2024年 页码：1-8

    • DOI：10.37188/CJL.20240126    

      中图分类号： TN248.4

    • 网络出版日期：2024-06-12，

    扫 描 看 全 文

  • 张志军,陈贺,张卓等.高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20240126

    ZHANG Zhijun,CHEN He,ZHANG Zhuo,et al.High power 1150 nm vertical external-cavity surface emitting semiconductor laser[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20240126

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