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界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究
理论计算及光谱分析 | 更新时间：2024-09-25
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    • 界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究

      增强出版

    • Theoretical Study on Effect of Interfacial Properties on Optical Properties of InAs/GaSb Type Ⅱ Superlattices

    • “最新研究揭示了InAs/GaSb超晶格在中红外光电子器件中的应用，通过调控界面态影响电子能态，为器件设计提供理论支持。”
    • 发光学报   2024年45卷第5期 页码：817-823

    • DOI：10.37188/CJL.20240054    

      中图分类号： O471.5

    • 纸质出版日期：2024-05-25，

      收稿日期：2024-03-02，

      修回日期：2024-03-17，

    移动端阅览

  • 马泽军,李远,朱申波等.界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究[J].发光学报,2024,45(05):817-823. DOI： 10.37188/CJL.20240054.

    MA Zejun,LI Yuan,ZHU Shenbo,et al.Theoretical Study on Effect of Interfacial Properties on Optical Properties of InAs/GaSb Type Ⅱ Superlattices[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(05):817-823. DOI： 10.37188/CJL.20240054.

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相关作者

马泽军
李远
朱申波
程凤敏
刘俊岐
王利军
翟慎强
卓宁

相关机构

中国科学院半导体研究所 固态光电信息技术实验室
长春理工大学理学院 高功率半导体激光国家重点实验室
香港中文大学(深圳) 理工学院
北京有色金属研究总院 智能传感功能材料国家重点实验室
哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院
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