InAs/GaSb сверхрешетка II типа является ключевой структурой для инфракрасных фотонных устройств среднего диапазона, где расположение зон типа II приводит к пространственному разделению электронов и дырок через интерфейс, а особая атомная конфигурация интерфейса обеспечивает богатство интерфейсных состояний. На основе теории оболочечных функций Бёрта-Формана мы рассмотрели влияние различных интерфейсных состояний на электронные энергетические уровни и волновые функции сверхрешетки. Теоретические расчёты показывают, что распределение двух асимметричных интерфейсных состояний — градиентного интерфейса и потенциала интерфейса — приводит к расщеплению спина в зоне тяжёлых дырок, в то время как расщепление спина в зоне лёгких дырок возникает только при приложении потенциала интерфейса. Кроме того, исследовано изменение ширины запрещённой зоны системы сверхрешетки при изменении ширины колодца и потенциала барьера. Результаты показывают, что с увеличением толщины барьера вычисленная ширина запрещённой зоны уменьшается для градиентного и резкого интерфейсов,趋向я к стабильности с увеличением толщины, тогда как при потенциале интерфейса ширина запрещённой зоны увеличивается с ростом толщины барьера, что противоположно двум первым случаям, что предоставляет теоретическую основу для точного проектирования инфракрасных сверхрешеточных устройств.

антимониды; сверхрешетки; интерфейсные состояния; метод разностного приближения вперед-назад