Le superréseau de type II InAs/GaSb est la structure principale des dispositifs photoélectroniques dans la gamme infrarouge moyenne. La configuration en bandes de type II conduit à une séparation spatiale des électrons et des trous à travers l'interface, tandis que la configuration atomique non commune de l'interface enrichit les états d'interface. En nous basant sur la théorie de la fonction d'enveloppe de Burt-Foreman, nous avons discuté de l'effet des différents états d'interface sur les états électroniques et les fonctions d'onde du superréseau. Les calculs théoriques montrent que la distribution des deux états d'interface asymétriques, interface à variation lente et potentiel d'interface, entraîne une scission de spin dans la bande des trous lourds, alors que la scission de spin dans la bande des trous légers n'apparaît qu'en présence du potentiel d'interface. De plus, nous avons étudié la tendance de la variation de la bande interdite du système du superréseau en modifiant la largeur du puits et la hauteur de la barrière. Les résultats indiquent qu'avec l'augmentation de l'épaisseur de la barrière, la bande interdite calculée sous les deux interfaces abruptes et graduelles diminue graduellement et tend à converger, tandis que sous le potentiel d'interface, la bande interdite augmente avec l'épaisseur de la barrière, affichant une tendance opposée aux deux précédentes, fournissant ainsi une base théorique de référence pour la conception précise des dispositifs à superréseau infrarouge moyen.

antimoniures; superréseaux; états d'interface; méthode des différences avant-arrière