El superretículo tipo II InAs/GaSb es la estructura central de los dispositivos fotoelectrónicos en la región del infrarrojo medio, donde la disposición de bandas tipo II hace que los electrones y huecos se separen en el espacio real a través de la interfaz, y su configuración atómica no común en la interfaz hace que los estados de la interfaz sean abundantes. Basándonos en la teoría de la función de sobreenvolvente de Burt-Foreman, discutimos el efecto de diferentes estados de la interfaz en los estados electrónicos y las funciones de onda del superretículo. Los cálculos teóricos muestran que la distribución de los dos estados asimétricos de la interfaz, la interfaz gradual y el potencial de la interfaz, conduce a la división del espín en la banda de huecos pesados, mientras que la división del espín en la banda de huecos ligeros solo ocurre cuando se aplica el potencial de la interfaz. Además, se estudió la tendencia del cambio en la brecha de banda del sistema del superretículo al cambiar el ancho del pozo y la barrera. Los resultados muestran que con el aumento del grosor de la barrera, la brecha de banda calculada bajo los estados de interfaz abrupta y gradual disminuye gradualmente y tiende a converger, mientras que bajo el potencial de la interfaz la brecha de banda aumenta con el grosor de la barrera, mostrando una tendencia opuesta a las dos anteriores, proporcionando una base teórica de referencia para el diseño preciso de dispositivos de superretículo infrarrojo medio.

antimoniuros; superretículo; estados de interfaz; método de diferencias hacia adelante y hacia atrás