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基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管研究
更新时间:2024-04-30
    • 基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管研究

      增强出版
    • On the separated multiple quantum barrier electron blocking layer for AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes

    • Researchers have made significant progress in improving the performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes (DUV-LEDs) with wavelengths shorter than 250 nm. By introducing a separated multiple quantum barrier electron blocking layer (EBL), they have achieved a higher hole concentration and radiative recombination rate compared to conventional block EBL configurations. The separation interlayer in the EBL forms a hole acceleration zone, significantly increasing hole injection efficiency. Additionally, the multi-quantum barrier sample suppresses electron leakage by raising the electron barrier, leading to a substantial enhancement in device performance.
    • 发光学报   2024年 页码:1-8
    • DOI:10.37188/CJL.20240045    

      中图分类号: TN304.23
    • 网络出版日期:2024-04-30

    扫 描 看 全 文

  • 申国文,鲁麟,许福军等.基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管研究[J].发光学报, DOI:10.37188/CJL.20240045

    Shen Guo-Wen,Lu Lin,Xu Fu-Jun,et al.On the separated multiple quantum barrier electron blocking layer for AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI:10.37188/CJL.20240045

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