Durch die Trennung der Struktur der Elektronenbarriereschicht mit mehreren Quantentiefen (EBL) wurde die Leistung des AlGaN-basierten DUV-LED-Geräts verbessert. Simulationsergebnisse zeigen, dass im Vergleich zur herkömmlichen massiven EBL die Verwendung einer getrennten EBL-Struktur mit mehreren Quantentiefen eine höhere Löcherkonzentration und eine höhere Strahlungsrekombinationsrate ermöglicht. Dies liegt daran, dass die Zwischenschicht in der EBL einen Löcherbeschleunigungsbereich bildet, in dem die Löcher Energie gewinnen und somit die Löcherinjektionseffizienz verbessert wird. Darüber hinaus kann die Mehrfachquantensperrstruktur durch Erhöhung der Elektronenbarriere effektiv den Elektronenaustritt unterdrücken, was die Geräteleistung erheblich steigert. Zusammenfassend kann durch die Einführung der Elektronenbarriereschicht mit mehreren Quantentiefen die Leistung des AlGaN-basierten DUV-LED-Geräts signifikant verbessert werden.

AlGaN;Tiefe Ultraviolett-LED;Elektronenbarriereschicht