Durch die Trennung der mehrschichtigen Quantentrog-Elektronenbarrierschicht (EBL) wurde die Leistung von DUV-LEDs auf AlGaN-Basis verbessert. Den Simulationsergebnissen zufolge kann im Vergleich zur herkömmlichen massiven EBL eine EBL mit getrennter mehrschichtiger Quantentrogstruktur eine höhere Lochkonzentration und eine höhere Strahlungsrekombinationsrate erreichen. Dies liegt daran, dass die Zwischenschicht in der EBL eine Lochbeschleunigungszone bildet, in der die Löcher Energie gewinnen und dadurch die Holeinjektionseffizienz verbessert wird. Darüber hinaus kann die mehrschichtige Quantensperrschicht durch Erhöhung der Elektronensperre effektiv den Elektronenleckstrom unterdrücken, was die Geräteleistung erheblich verbessert. Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Einführung der mehrschichtigen Quantentrog-Elektronenbarrierschicht die Leistung von AlGaN-basierten DUV-LEDs deutlich steigern kann.

AlGaN;Tiefen-UV-Leuchtdiode;Elektronenbarrierschicht