Mediante la separación de la estructura de la capa de barrera electrónica de múltiples pozos cuánticos (EBL), se logró mejorar el rendimiento del dispositivo LED DUV basado en AlGaN. Según los resultados de la simulación, en comparación con una EBL convencional sólida, la estructura de EBL con múltiples pozos cuánticos separados puede obtener una mayor concentración de huecos y una tasa de recombinación radiativa más alta. Esto se debe a que la capa intermedia en la EBL forma una zona de aceleración de huecos, permitiendo que los huecos adquieran energía en dicha zona y mejorando así la eficiencia de inyección de huecos. Además, la estructura de múltiples barreras cuánticas también puede suprimir efectivamente la fuga de electrones aumentando la barrera electrónica, lo que mejora significativamente el rendimiento del dispositivo. En conclusión, la introducción de una capa de barrera electrónica de múltiples pozos cuánticos puede mejorar significativamente el rendimiento del dispositivo LED DUV basado en AlGaN.

AlGaN;Diodo emisor de luz ultravioleta profunda;Capa de barrera electrónica