Al separar la capa barrera electrónica de multi-pocitos cuánticos (EBL), se logró mejorar el rendimiento del dispositivo DUV-LED basado en AlGaN. Según los resultados de simulación, en comparación con el EBL tradicional sólido, el EBL con estructura de multi-pocitos cuánticos separados puede obtener una mayor concentración de huecos y una tasa de recombinación radiativa más alta. Esto se debe a que la capa intermedia en el EBL forma una zona de aceleración de huecos, lo que permite que los huecos ganen energía en esa zona y, por lo tanto, mejore la eficiencia de inyección de huecos. Además, la estructura de múltiples barreras cuánticas también puede suprimir eficazmente la fuga de electrones al aumentar la barrera de electrones, mejorando significativamente el rendimiento del dispositivo. En resumen, la introducción de la capa barrera electrónica de multi-pocitos cuánticos puede mejorar notablemente el rendimiento del dispositivo DUV-LED basado en AlGaN.

AlGaN;diodo emisor de luz ultravioleta profunda;capa barrera electrónica