En séparant la structure de la couche de barrière électronique à puits quantiques multiples (EBL), la performance des dispositifs DUV-LED à base d’AlGaN a été améliorée. Les résultats de la simulation montrent que, comparée à une EBL monolithique traditionnelle, l’utilisation d’une EBL à structure de puits quantiques multiples séparée permet d’obtenir une concentration de trous plus élevée et un taux de recombinaison radiative accru. Cela est dû à la formation d’une zone d’accélération des trous dans la couche intermédiaire de l’EBL, permettant aux trous d’acquérir de l’énergie, ce qui améliore l’efficacité d’injection des trous. En outre, la structure à barrière quantique multiple peut également inhiber efficacement la fuite des électrons en augmentant la barrière électronique, ce qui améliore considérablement la performance du dispositif. En résumé, l’introduction d’une couche de barrière électronique à puits quantiques multiples permet d’améliorer significativement la performance des dispositifs DUV-LED à base d’AlGaN.

AlGaN;Diode électroluminescente UV profond;Couche de barrière électronique