En séparant la couche de barrière électronique à puits quantiques multiples (EBL), la performance des dispositifs DUV-LED à base d'AlGaN a été améliorée. D'après les résultats de simulation, comparé à une EBL traditionnelle massive, l'adoption d'une structure EBL à puits quantiques multiples séparés permet d'obtenir une plus grande concentration de trous et un taux de recombinaison radiative plus élevé. Cela est dû à la formation d'une zone d'accélération des trous dans l'intercalaire de l'EBL, permettant aux trous de gagner de l'énergie dans cette zone et ainsi d'améliorer l'efficacité d'injection des trous. De plus, la structure à barrières quantiques multiples peut également inhiber efficacement la fuite des électrons en augmentant la barrière électronique, améliorant ainsi considérablement la performance du dispositif. En résumé, l’introduction de la couche de barrière électronique à puits quantiques multiples permet d’améliorer significativement la performance des dispositifs DUV-LED à base d’AlGaN.

AlGaN;diode électroluminescente UV profonde;barrière électronique