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基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-08-06
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    • 基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管

      增强出版

    • AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes on Separated Multiple Quantum Barrier Electron Blocking Layer

    • 发光学报   2024年45卷第7期 页码：1156-1162

    • DOI：10.37188/CJL.20240045    

      中图分类号： TN304.23

    • 纸质出版日期：2024-07-25，

      收稿日期：2024-02-24，

      修回日期：2024-03-25，

    扫 描 看 全 文

  • 申国文,鲁麟,许福军等.基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管[J].发光学报,2024,45(07):1156-1162. DOI： 10.37188/CJL.20240045.

    SHEN Guowen,LU Lin,XU Fujun,et al.AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes on Separated Multiple Quantum Barrier Electron Blocking Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(07):1156-1162. DOI： 10.37188/CJL.20240045.

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