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基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-08-06
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    • 基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管

      增强出版

    • AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes on Separated Multiple Quantum Barrier Electron Blocking Layer

    • “研究人员在提高波长小于250nm的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）的性能方面取得了重大进展。通过引入分离的多量子势垒电子阻挡层（EBL），与传统的块EBL配置相比，它们实现了更高的空穴浓度和辐射复合率。EBL中的分离夹层形成了一个空穴加速区，显著提高了空穴注入效率。此外，多量子势垒样品通过提高电子势垒来抑制电子泄漏，从而显著提高了器件性能。”
    • 发光学报   2024年45卷第7期 页码：1156-1162

    • DOI：10.37188/CJL.20240045    

      中图分类号： TN304.23

    • 纸质出版日期：2024-07-25，

      收稿日期：2024-02-24，

      修回日期：2024-03-25，

    移动端阅览

  • 申国文,鲁麟,许福军等.基于分离多量子垒电子阻挡层的AlGaN基深紫外发光二极管[J].发光学报,2024,45(07):1156-1162. DOI： 10.37188/CJL.20240045.

    SHEN Guowen,LU Lin,XU Fujun,et al.AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-emitting Diodes on Separated Multiple Quantum Barrier Electron Blocking Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(07):1156-1162. DOI： 10.37188/CJL.20240045.

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相关作者

申国文
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吕琛
高文根
代广珍
贲建伟
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相关机构

安徽工程大学 高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室
中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所
武汉大学 生命科学学院
北京大学 第三医院
安徽工程大学 外国语学院
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