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深紫外AlGaN基多量子阱结构中载流子辐射复合的局域特征
材料合成及性能 | 更新时间:2023-11-27
    • 深紫外AlGaN基多量子阱结构中载流子辐射复合的局域特征

      增强出版
    • Localization Features of Carrier Emission Recombination in Deep-ultraviolet AlGaN-based Multiple Quantum Well Structure

    • 发光学报   2023年44卷第11期 页码:1974-1980
    • DOI:10.37188/CJL.20230213    

      中图分类号: O469
    • 纸质出版日期:2023-11-05

      收稿日期:2023-09-16

      修回日期:2023-10-04

    扫 描 看 全 文

  • 邓建阳,贺龙飞,武智波等.深紫外AlGaN基多量子阱结构中载流子辐射复合的局域特征[J].发光学报,2023,44(11):1974-1980. DOI: 10.37188/CJL.20230213.

    DENG Jianyang,HE Longfei,WU Zhibo,et al.Localization Features of Carrier Emission Recombination in Deep-ultraviolet AlGaN-based Multiple Quantum Well Structure[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(11):1974-1980. DOI: 10.37188/CJL.20230213.

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长春师范大学 物理学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室
中国科学院大学
长春奥普光电技术股份有限公司
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