Des structures de puits quantiques multiples Al_0.38Ga_0.62N/Al_0.55Ga_0.45N en ultra-violet profond ont été cultivées sur un substrat saphir c-orienté par pulvérisation magnétron et dépôt chimique en phase vapeur organométallique et leurs spectres de photoluminescence (PL) ont été mesurés. Les résultats de la dépendance en densité d'excitation du spectre PL indiquent que le processus de rayonnement du puits quantique inclut la diffusion des porteurs localisés, le blindage du champ de polarisation et le remplissage des états localisés ; les résultats de la dépendance en température du spectre PL indiquent que le processus de rayonnement inclut la relaxation des porteurs localisés, l'excitation thermique des porteurs localisés et l'effet de thermalisation classique des porteurs libres. Ce phénomène (la présence de multiples processus de recombinaison radiative) est particulièrement évident à basse température et sous faible excitation, démontrant une importante hétérogénéité locale de la profondeur et un effet de localisation des porteurs dans la structure du puits quantique. Dans la plage de basse température, avec l'augmentation de la température, le processus de rayonnement est le résultat combiné de la relaxation des porteurs localisés peu profonds et de l'excitation thermique des porteurs localisés profonds. Ces comportements sont attribués à l'hétérogénéité de profondeur locale induite par la fluctuation de la largeur du puits et aux effets de localisation des porteurs.

LED UV profond; Puits quantiques multiples AlGaN; Photoluminescence; Effet de localisation des porteurs