Методы магнитного распыления и металлоорганического химического осаждения пара использовались для выращивания глубокоуфильтровых многоквантовых ямок Al_0.38Ga_0.62N/Al_0.55Ga_0.45N на c-ориентированном сапфировом подложке, и были проведены измерения их фотолюминесцентных (PL) спектров. Результаты измерения зависимости PL спектров от плотности возбуждения показали, что радиационный процесс ямок включает рассеяние локализованных носителей заряда, экранирование поля поляризации и заполнение локализованных состояний; результаты измерения зависимости PL спектров от температуры показали, что радиационный процесс включает релаксацию локализованных носителей, термическое возбуждение локализованных носителей и обычный термализационный эффект свободных носителей. Это явление (то есть наличие нескольких процессов радиативной рекомбинации) особенно заметно при низких температурах и слабом возбуждении и демонстрирует значительную неоднородность глубины локализации и локализованный эффект носителей в структуре квантовых ямок. В диапазоне низких температур повышение температуры ведет к радиационным процессам, вызванным совместным действием эффекта релаксации мелких локальных носителей и термического возбуждения глубоких локальных носителей. Эти поведения объясняются неоднородностью локализационной глубины, вызванной колебаниями ширины ямки, и локализованными эффектами носителей.

Глубокоуфильтровый светодиод; Многоквантовые ямки AlGaN; Фотолюминесценция; Локализация носителей