Se cultivaron estructuras de pozos cuánticos múltiples Al_0.38Ga_0.62N/Al_0.55Ga_0.45N en el ultravioleta profundo en un sustrato de zafiro c-orientado mediante métodos de pulverización catódica magnética y deposición química de vapor organometálico, y se midieron sus espectros de fotoluminiscencia (PL). Los resultados de la dependencia de la densidad de excitación del espectro PL indican que el proceso de radiación en el pozo cuántico incluye dispersión de portadores localizados, blindaje del campo de polarización y efecto de llenado de estados localizados; los resultados de la dependencia térmica del espectro PL indican que el proceso de radiación incluye relajación de portadores localizados, excitación térmica de portadores localizados y el efecto de calentamiento habitual de portadores libres. Este fenómeno (es decir, la existencia de múltiples procesos de recombinación radiativa) es especialmente notable en condiciones de prueba a baja temperatura y baja excitación, y muestra que la estructura del pozo cuántico presenta una heterogeneidad significativa en la profundidad de localización y un efecto de localización de portadores, debido a la interacción conjunta entre la dispersión de portadores localizados superficiales y el llenado de portadores en estados localizados profundos. En el rango de temperaturas bajas, con el aumento de la temperatura, el proceso de radiación en el pozo cuántico es el resultado combinado del efecto de relajación de portadores localizados superficiales y la excitación térmica de portadores localizados profundos. Estos comportamientos se atribuyen a la heterogeneidad de la profundidad de localización inducida por la fluctuación del ancho del pozo y a los efectos de localización de portadores.

LED UV profundo; Pozos cuánticos múltiples AlGaN; Fotoluminiscencia; Efecto de localización de portadores