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基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计
理论计算与光谱分析 | 更新时间:2022-08-01
    • 基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计

      增强出版
    • Design of InGaN/GaN MQWs Structures for Monolithic Phosphor-free White LEDs Based on GaN Micro-arrays

    • 发光学报   2022年43卷第7期 页码:1130-1138
    • DOI:10.37188/CJL.20220115    

      中图分类号: O482.31
    • 纸质出版日期:2022-07-05

      收稿日期:2022-03-29

      修回日期:2022-04-14

    扫 描 看 全 文

  • 王永嘉,杨旭,李金钗等.基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计[J].发光学报,2022,43(07):1130-1138. DOI: 10.37188/CJL.20220115.

    WANG Yong-jia,YANG Xu,LI Jin-chai,et al.Design of InGaN/GaN MQWs Structures for Monolithic Phosphor-free White LEDs Based on GaN Micro-arrays[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(07):1130-1138. DOI: 10.37188/CJL.20220115.

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微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心,福建省半导体材料及应用重点实验室, 半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,厦门大学物理学系
北京大学物理学院 宽禁带半导体研究中心
安徽工程大学 检测技术与节能装置安徽省重点实验室
安徽工程大学 电气工程学院
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