Проведено исследование концентрации носителей заряда, коэффициента спонтанного излучения и поляризационного поля в двуволновых стековых c-плоскостных InGaN/GaN многоквантовых ямах (MQWs) светодиодах методом моделирования. Результаты показывают, что регулировкой толщины колодца и барьера в двуволновых стековых InGaN многоквантовых ямах можно управлять распределением носителей, особенно дырок, в активной зоне квантовых ям, реализуя модуляцию соотношения двух пиков излучения. Далее рассмотрены световые характеристики светодиодов с многоквантовыми ямами на полуполярной плоскости InGaN/GaN, выращенных при тех же эпитаксиальных условиях. На этой основе предложена конструкция одночипового белого светодиода на базе многоволновой стековой структуры InGaN/GaN многоквантовых ям с комбинацией c-плоскости и {1011} или {1122} полуполярных плоскостей. Регулируя пропорцию спектра излучения c-плоскости в смешанном спектре, можно получить белый свет, покрывающий большую часть видимого диапазона, с регулируемой цветовой температурой от 4500 до 9000 К и индексом цветопередачи до 91,3.

Одночиповый белый светодиод; Полуполярная плоскость; InGaN; Эффект поляризации