Se estudió la concentración de portadores, la tasa de recombinación por emisión espontánea y el campo de polarización en LED de pozos cuánticos múltiples (MQWs) apilados de InGaN/GaN de doble longitud de onda en la superficie c mediante simulación. Los resultados muestran que al ajustar el grosor de la capa de pozo y la capa de barrera en los MQWs apilados de InGaN de doble longitud de onda, se puede controlar la distribución de portadores, especialmente de huecos, en la zona activa del pozo cuántico, logrando la modulación de la proporción de picos de emisión de doble longitud de onda. Además, se analizaron las características de emisión de LED con pozos cuánticos apilados InGaN/GaN en superficies semipolares cultivadas bajo las mismas condiciones epitaxiales. Sobre esta base, se propuso un diseño de LED blanco de chip único basado en una estructura MQWs apilada de InGaN/GaN de múltiples longitudes de onda combinando la superficie c y las superficies semipolares ｛1011｝ o ｛1122｝. Al ajustar la proporción del espectro de emisión de la superficie c en el espectro mezclado, se puede obtener luz blanca que cubre la mayor parte del espectro visible, con una temperatura de color ajustable de 4500 a 9000 K y un índice de reproducción cromática de hasta 91.3.

LED blanco de chip único; superficie semipolar; InGaN; efecto de polarización