Une étude a été menée sur la concentration des porteurs de charge, le taux de recombinaison par émission spontanée et le champ de polarisation dans des puits quantiques multiples (MQWs) InGaN/GaN empilés à double longueur d’onde sur la face c de LED à lumière émise, par simulation. Les résultats montrent qu’en ajustant l’épaisseur des couches de puits et de barrières des MQWs InGaN empilés à double longueur d’onde, il est possible de moduler la distribution des porteurs, notamment des trous, dans la région active des puits quantiques, réalisant ainsi une modulation du ratio des pics d’émission à deux longueurs d’onde. Ensuite, les caractéristiques d’émission des LED à puits quantiques empilés InGaN/GaN sur une face semi-polaire cultivée dans les mêmes conditions épitaxiales ont été examinées. Sur cette base, une conception de LED blanche monocarte basée sur une structure MQWs InGaN/GaN empilée multi-longueurs d’onde combinant la face c et les faces semi-polaires ｛1011｝ ou ｛1122｝ a été proposée. En ajustant la proportion du spectre d’émission de la face c dans le spectre mixte, on peut obtenir une lumière blanche couvrant la majeure partie du spectre visible, avec une température de couleur réglable de 4500 à 9000 K et un indice de rendu des couleurs pouvant atteindre 91,3.

LED blanche monocarte; face semi-polaire; InGaN; effet de polarisation