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砷化镓热氧化法制备β⁃Ga2O3体块薄膜
材料合成及性能 | 更新时间:2022-08-01
    • 砷化镓热氧化法制备β⁃Ga2O3体块薄膜

      增强出版
    • β-Ga2O3 Bulk Films Prepared by Thermal Oxidation of GaAs

    • 发光学报   2022年43卷第7期 页码:1095-1101
    • DOI:10.37188/CJL.20210399    

      中图分类号: O482.31
    • 纸质出版日期:2022-07-05

      收稿日期:2021-12-20

      修回日期:2022-01-05

    扫 描 看 全 文

  • 刁肇悌,陈威,董鑫等.砷化镓热氧化法制备β⁃Ga2O3体块薄膜[J].发光学报,2022,43(07):1095-1101. DOI: 10.37188/CJL.20210399.

    DIAO Zhao-ti,CHEN Wei,DONG Xin,et al.β-Ga2O3 Bulk Films Prepared by Thermal Oxidation of GaAs[J].Chinese Journal of Luminescence,2022,43(07):1095-1101. DOI: 10.37188/CJL.20210399.

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