Методом высокотемпературного термоокисления однотонного подложки p-типа из арсенида галлия (p⁃GaAs) был получен объемный тонкий пленочный слой β⁃Ga₂O₃. Исследовано влияние потока O₂ на морфологию объемного тонкого пленочного слоя β⁃Ga₂O₃ в процессе высокотемпературного окисления. Анализ качества кристаллов, структурных характеристик и фотолюминесценции показал, что процесс превращения GaAs в объемный тонкий слой β⁃Ga₂O₃ в условиях высокой температуры и высоких концентраций кислорода связан с испарением по модели Лэнгмюра. При низком потоке O₂ (0,2 л/мин) подложка GaAs находится в состоянии недостатка кислорода, образованная проба имеет морфологию нанонитей; при потоке O₂ выше 0,4 л/мин подложка GaAs полностью окисляется с формированием объемного тонкого слоя β⁃Ga₂O₃ с наноструктурой островков, и качество кристаллов значительно улучшается. Предложенный в статье метод термоокисления монокристалла арсенида галлия позволяет эффективно и с низкой себестоимостью получать объемные наноструктурированные тонкие пленочные слои β⁃Ga₂O₃ с высоким качеством кристаллов, что значительно расширяет возможности применения материала β⁃Ga₂O₃.

термоокисление; наноструктурированные островковые пленки; β-Ga₂O₃; поток кислорода