Se prepararon películas gruesas β⁃Ga₂O₃ mediante un método de oxidación térmica a alta temperatura sobre un sustrato monocristalino de arseniuro de galio tipo p (p⁃GaAs). Se estudió el efecto del flujo de O₂ durante la oxidación a alta temperatura en la morfología de la película gruesa β⁃Ga₂O₃. Las pruebas y análisis de la calidad cristalina, las características estructurales y las propiedades de fotoluminiscencia de la película demostraron que la transformación de GaAs a película gruesa β⁃Ga₂O₃ en un ambiente de alta temperatura y alto oxígeno está relacionada con la evaporación según el modelo de Langmuir. Cuando el flujo de O₂ es bajo (0.2 L/min), el sustrato GaAs está en estado de falta de oxígeno, y la muestra preparada presenta una morfología de nanohilos; cuando el flujo de O₂ supera los 0.4 L/min, el sustrato GaAs se oxida completamente formando una película gruesa β⁃Ga₂O₃ con estructura de islas nanométricas, y la calidad cristalina mejora significativamente. El proceso de oxidación térmica del monocristal de arseniuro de galio propuesto aquí puede producir eficientemente películas gruesas nanoestructuradas de β⁃Ga₂O₃ con alta calidad cristalina a bajo costo, lo que enriquece considerablemente las aplicaciones del material β⁃Ga₂O₃.

oxidación térmica; película gruesa con estructura de islas nanométricas; β-Ga₂O₃; flujo de oxígeno