LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射

刘渝珍; 石万全; 刘世祥; 姚德成; 刘金龙; 韩一琴; 赵玲莉; 孙宝银; 叶甜春; 陈梦真

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LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射

论文 | 更新时间：2020-08-11

- LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射
- LUMINESCENCE FROM SILICON NITRIDE FILM BY LPCVD
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：37-39
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院微电子研究中心北京,100010
  2. 中国科学技术大学研究生院北京,100039
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国科学技术大学研究生院院长择优基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1999-2-28，
  
  收稿日期：1998-5-30，
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刘渝珍, 石万全, 刘世祥, 姚德成, 刘金龙, 韩一琴, 赵玲莉, 孙宝银, 叶甜春, 陈梦真. LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射[J]. 发光学报, 1999,20(1): 37-39

Liu Yuzhen, Shi Wanquan, Liu Shixiang, Yao Decheng, Liu Jinlong, Han Yiqin, Zhao Lingli, Sun Baoyin, Ye Tianchun, Chen Mengzhen. LUMINESCENCE FROM SILICON NITRIDE FILM BY LPCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 37-39
刘渝珍, 石万全, 刘世祥, 姚德成, 刘金龙, 韩一琴, 赵玲莉, 孙宝银, 叶甜春, 陈梦真. LPCVD氮化硅薄膜室温高强度可见光发射[J]. 发光学报, 1999,20(1): 37-39 DOI：

Liu Yuzhen, Shi Wanquan, Liu Shixiang, Yao Decheng, Liu Jinlong, Han Yiqin, Zhao Lingli, Sun Baoyin, Ye Tianchun, Chen Mengzhen. LUMINESCENCE FROM SILICON NITRIDE FILM BY LPCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 37-39 DOI：

摘要

在5.0eV的激光激发下

在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见荧光

其峰位位置分别为2.97

2.77

2.55

2.32

2.10和1.90eV的六个PL峰

建立了其可见荧光发射的能隙态模型

并初步讨论了其发光机制。

Abstract

At 5.0eV laser excitation

six luminescence emission bands of LPCVD silicon nitride film were observed corresponding to 2.97

2.77

2.55

2.32

2.10 and 1.90eV respectively. Reports on the gap state model of LPCVD silicon nitride film have been made by this paper. The origin of these emission bands are discussed.

关键词

LPCVD氮化硅薄膜可见荧光

Keywords

LPCVDsilicon nitride filmluminescence

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