AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

童玉珍; Liu M S; Bursill L A; 李景; 张国义; 甘子钊

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AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究
- MICRO RAMAN SPECTRA OF AlGaN FILMS
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：32-36
- 作者机构：
  
  1. 北京大学物理系介观物理重点实验室
  2. School of Physics, University of Melbourne, Packville,.
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1998-05-30，
  
  纸质出版：1999-02-28
- 稿件说明：
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童玉珍, Liu M S, Bursill L A, 李景, 张国义, 甘子钊 . AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 32-36

Tong Yuzhen, Liu M S, Bursill L A, Li Jing, Zhang Guoyi, Gan Zizhao. MICRO RAMAN SPECTRA OF AlGaN FILMS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 32-36
童玉珍, Liu M S, Bursill L A, 李景, 张国义, 甘子钊 . AlGaN薄膜的微区Raman散射光谱研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 32-36 DOI：

Tong Yuzhen, Liu M S, Bursill L A, Li Jing, Zhang Guoyi, Gan Zizhao. MICRO RAMAN SPECTRA OF AlGaN FILMS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 32-36 DOI：

摘要

利用微区Raman散射技术

对低压MOCVD生长的不同Al组分的Al

1-x

N薄膜(x=0

0.07

0.15)进行了背散射Z(X

X)Z-几何配制下的测量。A1(LO)模式的声子频移随Al组分的变化关系为:ω(Al

1-x

N)=(1+0.220x)ω

(GaN)

.观察到了A1(LO)模式由于空间相关效应引起的展宽。E2模式随Al组分的的增大产生的移动很微小

但趋于展宽。这被认为是E2模式的声子频移随Al组分的增加而增大与其受到的张应力导致的声子频移随Al组分的增加而减小共同作用的结果。在多种配置下

观察到了Al

0.07

0.93

N薄膜的A1(TO)模式、A1(LO)模式、E1(TO)模式和E2模式。验证了Al

1-x

N薄膜的Raman选择定则。表明Al

1-x

N薄膜具有单模行为。

Abstract

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