硅基MIS隧道二极管的研究

俞建华; 孙承休; 刘柯林; 高中林; 王启明

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硅基MIS隧道二极管的研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 硅基MIS隧道二极管的研究
- RESEARCH OF SILICON-BASED MIS TUNNEL DIODE
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：40-42
- 作者机构：
  
  1. 东南大学电子工程系南京,210096
  2. 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京,100083
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金;集成光电子国家重点实验室基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1999-2-28，
  
  收稿日期：1998-5-30，
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俞建华, 孙承休, 刘柯林, 高中林, 王启明. 硅基MIS隧道二极管的研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 40-42

Yu Jianhua, Sun Chengxiu, Liu Kelin, Gao Zhonglin, Wang Qiming. RESEARCH OF SILICON-BASED MIS TUNNEL DIODE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 40-42
俞建华, 孙承休, 刘柯林, 高中林, 王启明. 硅基MIS隧道二极管的研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 40-42 DOI：

Yu Jianhua, Sun Chengxiu, Liu Kelin, Gao Zhonglin, Wang Qiming. RESEARCH OF SILICON-BASED MIS TUNNEL DIODE[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 40-42 DOI：

摘要

硅基MIS隧道发光二极管为制造用于超大规模集成电路的硅基发光器件提供了可能性。报道了MIS隧道发光二极管(MISLETD)的制作过程、电流-电压和发射光谱特性

讨论了负阻现象和发光机理

Abstract

Silicon based MIS light emiting tunnel diode shows the possibility for making silicon based light emitting devices that can be used in Very Large Scale Integrated (VLSI) circuits. In this paper

we report the fabrication technique

current voltage (

I-V

) characteristic and light emission spectra of MIS tunnel diode.

关键词

发光MIS隧道二极管表面等离子体激元

Keywords

light emissionMIS tunnel diodesurface plasmon

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