GaAs1-xPx:EL2(x=0～0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性

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GaAs_1-xP_x:EL2(x=0～0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性

论文 | 更新时间：2020-08-11

- GaAs_1-xP_x:EL2(x=0～0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性
- TEMPERATURE DEPENDENCE OF OPTICAL QUENCHING CROSS SECTION SPECTRA OF GaAs_1-xP_x:EL2(x=0～0.08) CENTER
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：11-13
- 作者机构：
  
  1. 北京师范大学分析测试中心
  2. 超晶格和微结构国家重点实验室, 中国科学院半导体研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1998-05-30，
  
  纸质出版：1999-02-28
- 稿件说明：
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杨锡震. GaAs1-xPx:EL2(x=0～0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性[J]. 发光学报, 1999,20(1): 11-13

Yang Xizhen. TEMPERATURE DEPENDENCE OF OPTICAL QUENCHING CROSS SECTION SPECTRA OF GaAs1-xPx:EL2(x=0～0.08) CENTER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 11-13
杨锡震. GaAs1-xPx:EL2(x=0～0.08)光猝灭截面谱的温度依赖性[J]. 发光学报, 1999,20(1): 11-13 DOI：

Yang Xizhen. TEMPERATURE DEPENDENCE OF OPTICAL QUENCHING CROSS SECTION SPECTRA OF GaAs1-xPx:EL2(x=0～0.08) CENTER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 11-13 DOI：

对实测GaAs

1-x

合金(x=0

0.04和0.08)三个样品中EL2中心的光猝灭截面谱σ

(hν)的温度依赖性进行了研究。随温度(

)由～40K升至～100K

三个样品的谱峰位均有红移;峰高Ip增高

增高速度随x增大而减小。σ

(hν)谱可近似拟合为两个高斯型成分的叠加。以上结果支持关于EL2

0/+

中心存在两个激发态(e1

e2)的论点。解谱结果表明:0K时e1和e2的能级外推值e1(0)=1.016eV

e2(0)=1.046eV与x值无关。拟合参数的温度依赖性和组份依赖性支持将e1和e2指认为与导带

极小值相联系的有效质量态

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