有序GaxIn1-xP(x=0.52)光致发光谱研究

吕毅军; 俞容文; 郑健生

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有序Ga_xIn_1-xP(x=0.52)光致发光谱研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 有序Ga_xIn_1-xP(x=0.52)光致发光谱研究
- INVESTIGATION ON THE PHOTOLUMINESCENCE OF ORDERED Ga_xIn_1-x( x =0.52)
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：14-16
- 作者机构：
  
  厦门大学物理系,福建厦门,361005
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金;福建省自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1999-2-28，
  
  收稿日期：1998-5-30，
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吕毅军, 俞容文, 郑健生. 有序GaxIn1-xP(x=0.52)光致发光谱研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 14-16

Lü Yijun, Yu Rongwen, Zheng Jiansheng. INVESTIGATION ON THE PHOTOLUMINESCENCE OF ORDERED GaxIn1-x( x =0.52)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 14-16
吕毅军, 俞容文, 郑健生. 有序GaxIn1-xP(x=0.52)光致发光谱研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 14-16 DOI：

Lü Yijun, Yu Rongwen, Zheng Jiansheng. INVESTIGATION ON THE PHOTOLUMINESCENCE OF ORDERED GaxIn1-x( x =0.52)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 14-16 DOI：

摘要

报道了对有序Ga

1-x

(x=0.52)样品的变温和变激发功率密度的PL谱的研究。在低温

=17K

低激发功率密度下

谱线呈双峰结构

在低激发功率密度下升高温度

低能端的发光峰(以下简称A峰)发生热猝灭

并在85K左右完全消失。高能端的发光峰(以下简称B峰)积分强度则随温度升高先增强而后发生猝灭。采用低激发功率密度激发样品

A峰较B峰强。增大激发功率密度

B峰强度逐渐超过A峰强度并占据主导地位。激发功率密度增加约两个数量级时

发现B峰峰值位置不随激发功率密度移动

而A峰出现微小蓝移(6.2meV).初步分析表明

A峰与空间分离中心的复合有关

而B峰来自本征激子复合;B峰积分强度随温度升高而反常增强解释为空穴从无序区域到有序区域的转移

Abstract

An investigation on the properties of the temperature dependence and the excitation intensity dependence of photoluminescence of ordered Ga

0.52

0.48

P was carried out. Under the condition of low temperature of

=17K and low excitation intensity

the spectrum profile showed a double peaks structure. Changing the temperature and the excitation intensity respectively

the relative phenomena were discussed and a reasonable explanation was given.

关键词

有序度Ⅲ-Ⅴ半导体光致发光

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