低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究

江德生; 吕振东; 崔丽秋; 周向前; 孙宝权; 徐仲英

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究
- PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON MBE LOW TEMPERATURE-GROWN GaAs
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：7-10
- 作者机构：
  
  中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京,100083
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1999-2-28，
  
  收稿日期：1998-5-30，
扫描看全文
江德生, 吕振东, 崔丽秋, 周向前, 孙宝权, 徐仲英. 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 7-10

Jiang Desheng, Lü Zhendong, Cui Liqiu, Zhou Xiangqian, Sun Baoquan, Xu Zhongying. PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON MBE LOW TEMPERATURE-GROWN GaAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 7-10
江德生, 吕振东, 崔丽秋, 周向前, 孙宝权, 徐仲英. 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究[J]. 发光学报, 1999,20(1): 7-10 DOI：

Jiang Desheng, Lü Zhendong, Cui Liqiu, Zhou Xiangqian, Sun Baoquan, Xu Zhongying. PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON MBE LOW TEMPERATURE-GROWN GaAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 7-10 DOI：

摘要

研究了低温下分子束外延生长GaAs(LTG-GaAs)样品的稳态和瞬态发光。从200℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰

峰的能量位置相对于体GaAs激子峰有一定蓝移。此外

发现在体GaAs上生长LTG-GaAs薄膜可大大减小体GaAs衬底材料中本征发光的衰减时间

但对(e

A×)发光影响不大。用上转换方法对退火和未退火LTG-GaAs样品瞬态发光进行了测量

获得了关于LTG-GaAs中复合中心和陷阱中心的信息。

Abstract

The steady-state and transient photoluminescence (PL) of molecular beam epitaxial (MBE) low temperature-grown (LTG) GaAs samples are investigated. A weak but well-distinguished steady-state PL peak is detected from LTG-GaAs.Its peak energy has a blue shift relative to the excitonic PL peak of bulk GaAs. Furthermore

it is confirmed that the decay time of the intrinsic luminescence from bulk GaAs substrate is strongly reduced by the top LTG-GaAs layer

while no essential change occurs for the impurity related (e

A×) luminescence. The transient PL of LTG-GaAs without and after annealing is measured by using up-conversion technique. The information about recombination and trapping centers are obtained.

关键词

光致发光砷化镓分子束外延瞬态测量

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

界面生长中断对GaAs (111)衬底上 AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响

氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响

纳米晶Gd₂O₃ ∶ Eu³⁺的制备与发光性质

ZnO：V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性

一步溶液法制备ZnO亚微米晶体棒及其发光性能