一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极

论文 | 更新时间：2020-08-11

- 一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极
- FABRICATION OF SILICON TIPS BY ONE STEP WET CHEMICAL ETCHING
- 发光学报 1999年20卷第1期页码：81-85
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所长春,130021
  2. 中国科学院长春光学精密机械研究所长春,130022
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1999-2-28，
  
  收稿日期：1998-6-24，
扫描看全文
王维彪, 金长春, 梁静秋, 姜锦秀, 刘乃康, 姚劲松, 赵海峰, 王永珍, 范希武. 一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极[J]. 发光学报, 1999,20(1): 81-85

Wang Weibiao, Jin Changchun, Liang Jingqiu, Jiang Jinxiu, Liu Naikang, Yao Jinsong, Zhao Haifeng, Wang Yongzhen, Fan Xiwu. FABRICATION OF SILICON TIPS BY ONE STEP WET CHEMICAL ETCHING[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 81-85
王维彪, 金长春, 梁静秋, 姜锦秀, 刘乃康, 姚劲松, 赵海峰, 王永珍, 范希武. 一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极[J]. 发光学报, 1999,20(1): 81-85 DOI：

Wang Weibiao, Jin Changchun, Liang Jingqiu, Jiang Jinxiu, Liu Naikang, Yao Jinsong, Zhao Haifeng, Wang Yongzhen, Fan Xiwu. FABRICATION OF SILICON TIPS BY ONE STEP WET CHEMICAL ETCHING[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(1): 81-85 DOI：

主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖。采用各向同性腐蚀的方法在<111>晶面和<100>晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖。实验结果表明<111>晶面的硅衬底上容易制备顶端曲率半径比较小的硅微尖。通过实验

调整了腐蚀剂的组成

最后得到曲率半径10～15nm的硅微尖

We fabricated Si tips by one step wet chemical etching

111

silicon substrate in solution of HF:HNO

O=1.5:15:5. The radii of Si-tip's top about 10～15nm is gotten after experiment.

真空微电子硅微尖冷阴极

vacuum microelectronicsSi-tipcold cathode

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较

用化学方法制备硅场发射阵列