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Preparation and Performance of 1.5 μm High-power Superluminescent Diodes
Device Fabrication and Physics | 更新时间:2024-04-26
    • Preparation and Performance of 1.5 μm High-power Superluminescent Diodes

      增强出版
    • 一项关于超辐射发光二极管在光纤陀螺应用中的研究取得了重要进展。该研究表明,超辐射发光二极管作为光纤陀螺的核心元件,其性能直接决定光纤陀螺的精度。特别是当超辐射发光二极管的出光功率越高时,光纤陀螺接收信号的信噪比也相应提升。过去,InP/AlGaInAs增益材料因其电子限制效率高的优点而受到关注,但由于Al元素容易氧化,其应用可靠性面临挑战。针对这一问题,研究人员采用了InP/InGaAsP作为增益材料,并通过引入宽带隙电子阻挡层来优化量子阱的电子限制效率。实验结果显示,激光芯片的最大出光功率从69mW提升至92mW。进一步的材料沉积速率优化不仅改善了增益区和应变电子阻挡层的质量,还显著提升了激光芯片的可靠性。经过1000小时的老化测试,样品的阈值和功率变化均保持在合格范围内。此外,研究团队还成功制备了超辐射发光二极管芯片。测试表明,电子阻挡层的引入使得芯片在室温下的饱和出光功率从19mW提升至24mW,同时饱和工作电流也有所提高。该芯片的光谱宽度达到80nm,中心波长位于1500nm附近。在1000小时的老化测试中,芯片的阈值和光功率变化保持稳定,未出现性能退化现象。这一研究成果不仅为提升光纤陀螺的精度提供了有力支持,也为超辐射发光二极管在相关领域的应用开辟了新的方向。
    • Chinese Journal of Luminescence   Vol. 45, Issue 4, Pages: 644-650(2024)
    • DOI:10.37188/CJL.20230321    

      CLC: TN312.8;O472
    • Published:05 April 2024

      Received:16 December 2023

      Revised:11 January 2024

    扫 描 看 全 文

  • XUE Zhengqun,WANG Linghua,CHEN Yuping.Preparation and Performance of 1.5 μm High-power Superluminescent Diodes[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(04):644-650. DOI: 10.37188/CJL.20230321.

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