Fabrication et performances de la diode électroluminescente à super-radiance haute puissance de 1,5 μm

XUE Zhengqun ,  

WANG Linghua ,  

CHEN Yuping ,  

摘要

Les diodes électroluminescentes à super-radiance, en tant qu’éléments clés des gyroscopes à fibre optique, influencent directement la précision des gyroscopes à fibre optique ; plus la puissance de sortie des diodes super-radiantes est élevée, meilleur est le rapport signal sur bruit du signal reçu par le gyroscope à fibre optique. Le matériau amplificateur InP/AlGaInAs présente un avantage d’efficacité élevée de confinement électronique, cependant, à cause de la tendance à l’oxydation de l’aluminium, il y a des problèmes de fiabilité d’application. Cet article utilise InP/InGaAsP comme matériau amplificateur, en améliorant l’efficacité de confinement électronique des puits quantiques par l’utilisation d’une couche barrières électroniques à large bande interdite dans la structure épitaxiale. Les résultats expérimentaux montrent que la puissance de sortie maximale de la puce laser est passée de 69 mW à 92 mW. Sur cette base, la qualité de la zone d’amplification et du matériau de la couche barrière électronique sous contrainte a été améliorée par l’optimisation du taux de dépôt des matériaux. Les résultats indiquent une amélioration notable de la fiabilité de la puce laser : après un vieillissement de 1000 heures, les variations du seuil et de la puissance sont dans les limites acceptables. Enfin, la fabrication de la puce de diode à super-radiance a été réalisée. Les tests montrent que la couche barrière électronique a permis d’augmenter la puissance de sortie saturée de la puce SLD à température ambiante de 19 mW à 24 mW, le courant de fonctionnement saturé a également augmenté, la largeur du spectre a atteint 80 nm, la longueur d’onde centrale du spectre est proche de 1500 nm ; le seuil et la stabilité de la puissance du chip après 1000 heures de vieillissement sont restés stables, sans dégradation des performances.

关键词

Diode électroluminescente à super-radiance;InP/InGaAsP;Structure de barrière électronique;Vitesse de croissance du matériau

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