El diodo emisor de superradiancia, como componente clave del giróscopo de fibra óptica, afecta directamente la precisión del giróscopo de fibra óptica; cuanto mayor es la potencia de salida del diodo emisor de superradiancia, mejor es la relación señal-ruido de la señal recibida por el giróscopo de fibra óptica. El material de ganancia InP/AlGaInAs tiene la ventaja de alta eficiencia de confinamiento electrónico, pero debido a que el elemento Al es susceptible a la oxidación, enfrenta ciertos problemas de confiabilidad en la aplicación. En este artículo se utiliza InP/InGaAsP como material de ganancia, mejorando la eficiencia de confinamiento electrónico del pozo cuántico mediante una capa barrera electrónica de banda ancha en la estructura epitaxial. Los resultados experimentales muestran que la potencia máxima de salida del chip láser aumentó de 69 mW a 92 mW. Sobre esta base, se mejoró la calidad de la zona de ganancia y del material de la capa barrera electrónica bajo tensión mediante la optimización de la velocidad de depósito del material. Los resultados muestran una mejora notable en la confiabilidad del chip láser; después de 1000 horas de envejecimiento de vida útil, el umbral y la tasa de cambio de potencia se encuentran dentro del rango aceptable. Finalmente, se llevó a cabo la fabricación del chip del diodo emisor de superradiancia. Las pruebas muestran que la capa barrera electrónica aumentó la potencia de salida saturada del chip SLD a temperatura ambiente de 19 mW a 24 mW, el corriente de trabajo saturado también se incrementó, el ancho del espectro alcanzó los 80 nm, la longitud de onda central del espectro está alrededor de 1500 nm; el umbral y el cambio de potencia tras 1000 horas de envejecimiento de vida son estables, sin aparición de muestras con degradación del rendimiento.

Diodo emisor de superradiancia;InP/InGaAsP;Estructura de barrera electrónica;Velocidad de crecimiento del material