Сверхизлучающие светодиоды, являясь ключевыми элементами оптоволоконных гироскопов, напрямую влияют на точность работы гироскопа; чем выше выходная мощность сверхизлучающего светодиода, тем лучше отношение сигнал/шум принимаемого сигнала оптоволоконным гироскопом. Материал усиления InP/AlGaInAs обладает высокой эффективностью ограничения электронов, однако из-за легкой окисляемости алюминия возникают определенные проблемы с надежностью применения. В данной работе в качестве материала усиления используется InP/InGaAsP, и для повышения эффективности ограничения электронов в квантовых ямах применяется электронный барьер с широкой запрещённой зоной в эпитаксиальной структуре. Результаты экспериментов показали, что максимальная выходная мощность лазерного чипа увеличилась с 69 мВт до 92 мВт. На этой основе за счет оптимизации скорости осаждения материала улучшено качество зоны усиления и материала электронного барьера с напряжением. Результаты показывают заметное улучшение надежности лазерного чипа: после 1000 часов старения изменения порогового значения и мощности находятся в пределах допустимых значений. Наконец, проведена подготовка чипа сверхизлучающего светодиода. Тесты показали, что электронный барьер увеличил насыщенную выходную мощность SLD при комнатной температуре с 19 мВт до 24 мВт, а насыщенный рабочий ток также увеличился, ширина спектра достигла 80 нм, центральная длина волны спектра была около 1500 нм; порог и изменение мощности чипа после 1000 часов старения оставались стабильными, деградация характеристик не наблюдалась.

Сверхизлучающий светодиод;InP/InGaAsP;электронная барьерная структура;скорость роста материала