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高功率极低发散角976nm单模半导体激光器
更新时间：2026-03-09

    • 高功率极低发散角976nm单模半导体激光器

      增强出版

    • High-Power, Single-Mode 976 nm Diode Laser with Ultra-Low Divergence Angle

    • ““”这段话，介绍了其在全光网络通信领域的研究进展，相关专家研制了高功率976 nm单模半导体激光芯片，为发展低成本高功率单模掺铒光纤放大器激光泵浦模块提供了有力支持。”
    • 发光学报   2026年 页码：1-9

    • DOI：10.37188/CJL.20260053    

      中图分类号： TN248.4
    • CSTR：32170.14.CJL.20260053    

    • 网络首发：2026-03-09，

    移动端阅览

  • 庞政,汪丽杰,刘亚楠等.高功率极低发散角976nm单模半导体激光器[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20260053 CSTR： 32170.14.CJL.20260053.

    PANG Zheng,WANG Lijie,LIU Yanan,et al.High-Power, Single-Mode 976 nm Diode Laser with Ultra-Low Divergence Angle[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20260053 CSTR： 32170.14.CJL.20260053.

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中国科学院半导体研究所 固态光电信息技术实验室
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