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高亮度边发射半导体激光器及其脉冲驱动研究进展
更新时间:2026-01-13
    • 高亮度边发射半导体激光器及其脉冲驱动研究进展

      增强出版
    • Advances in High-Brightness Edge-Emitting Semiconductor Lasers and Their Pulsed Driving

    • 在材料加工、医疗和激光雷达等领域,高亮度边发射半导体激光器的研究取得进展,专家探索了侧向模式控制和垂直远场发散角优化方法,为实现高性能脉冲驱动高亮度半导体激光器提供解决方案。
    • 发光学报   2026年 页码:1-20
    • DOI:10.37188/CJL.20250272    

      中图分类号: TN248.4
    • CSTR:32170.14.CJL.20250272    
    • 收稿:2025

      修回:2025

      网络出版:2026-01-13

    移动端阅览

  • 高翔,刘祥,薛晓娥等.高亮度边发射半导体激光器及其脉冲驱动研究进展[J].发光学报, DOI:10.37188/CJL.20250272 CSTR: 32170.14.CJL.20250272.

    GAO Xiang,LIU Xiang,XUE Xiaoe,et al.Advances in High-Brightness Edge-Emitting Semiconductor Lasers and Their Pulsed Driving[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI:10.37188/CJL.20250272 CSTR: 32170.14.CJL.20250272.

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