AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米孔的结构和光电性能

葛薛豪; 姜凯; 王相虎

doi:10.37188/CJL.20250200

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AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能

材料合成及性能 | 更新时间：2026-09-12

- AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能
  增强出版
- Structure and Photoelectric Properties of β-Ga₂O₃ Nanopores Grown by Pulsed Laser Deposition on AAO Templates
- 发光学报 2025年46卷第12期页码：2302-2308
- 作者机构：
  
  上海电机学院文理学院，上海 200240
- 作者简介：
  
  葛薛豪（2001-），男，江苏苏州人，硕士研究生，2023年于淮阴工学院获得学士学位，主要从事日盲紫外光电探测器的研究。 E-mail:1398389795@qq.com
  姜凯（1986-），男，山东烟台人，博士，副教授，硕士生导师，2014年于华东师范大学获得博士学位，主要从事原位多维光谱表征技术与调控方法的研究。E-mail:32077@sdju.edu.cn
  王相虎（1976-），男，安徽庐江人，博士，教授，硕士生导师，2007年于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所获得博士学位，主要从事宽禁带半导体材料与器件的研究。E-mail:wangxh@sdju.edu.cn
- 基金信息：
  
  the National Natural Science Foundation of China(U22A2073)
- DOI：10.37188/CJL.20250200
  中图分类号： O482.31
- CSTR：32170.14.CJL.20250200
- 收稿：2025-08-18，
  
  修回：2025-09-01，
  
  纸质出版：2025-12-25
- 稿件说明：
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葛薛豪,姜凯,王相虎.AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能[J].发光学报,2025,46(12):2302-2308. DOI: 10.37188/CJL.20250200. CSTR: 32170.14.CJL.20250200.

GE Xuehao,JIANG Kai,WANG Xianghu.Structure and Photoelectric Properties of β-Ga₂O₃ Nanopores Grown by Pulsed Laser Deposition on AAO Templates[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(12):2302-2308. DOI: 10.37188/CJL.20250200. CSTR: 32170.14.CJL.20250200.
葛薛豪,姜凯,王相虎.AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能[J].发光学报,2025,46(12):2302-2308. DOI: 10.37188/CJL.20250200. CSTR: 32170.14.CJL.20250200. DOI：

GE Xuehao,JIANG Kai,WANG Xianghu.Structure and Photoelectric Properties of β-Ga₂O₃ Nanopores Grown by Pulsed Laser Deposition on AAO Templates[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(12):2302-2308. DOI: 10.37188/CJL.20250200. CSTR: 32170.14.CJL.20250200. DOI：

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