La característica de banda prohibida ancha del óxido de galio lo hace muy adecuado para la fabricación de detectores fotovoltaicos ultravioleta no sensibles a la luz visible. La responsividad de los detectores ultravioletas basados en películas delgadas suele ser baja. Sin embargo, debido a su alta área superficial y alta calidad cristalina que proporciona alta estabilidad, los nanomateriales tienen un excelente desempeño fotoeléctrico en aplicaciones de dispositivos. En este artículo, se depositaron con éxito nanoporos de β-Ga₂O₃ en un molde AAO poroso ordenado de doble canal mediante la deposición láser pulsada (PLD). Utilizando el molde AAO poroso como espacio para el crecimiento de nanomateriales, el material de óxido de galio se llenó dentro de los canales del molde para formar una estructura de nanotubo. Mediante la optimización del proceso de fabricación, se investigó en profundidad la relación entre el rendimiento de los nanotubos de óxido de galio y el tiempo de crecimiento, aumentando así la responsividad del detector.

Nanoporos de β-Ga₂O₃; molde AAO; deposición láser pulsada; materiales semiconductores de banda ancha