Die breite Bandlücke von Galliumnitrid macht es sehr geeignet für die Herstellung von UV-Fotodetektoren, die gegenüber sichtbarem Licht blind sind. Die Empfindlichkeit von UV-Fotodetektoren auf Dünnschichtbasis ist oft gering. Aufgrund der hohen spezifischen Oberfläche und der hohen Kristallqualität, die eine hohe Stabilität bieten, weisen Nanomaterialien jedoch hervorragende photoelektrische Eigenschaften in Geräteanwendungen auf. In dieser Arbeit wurden β-Ga₂O₃-Nanoporen erfolgreich mittels gepulster Laserabscheidung (PLD) auf einer doppelt geordneten porösen AAO-Vorlage abgeschieden. Durch Verwendung der porösen AAO-Vorlage als Wachstumsraum für die Nanomaterialien wurde das Galliumnitridmaterial in die Kanäle der Vorlage gefüllt, um eine Nanoröhrenstruktur zu bilden. Durch Optimierung des Herstellungsprozesses wurde die Beziehung zwischen den Eigenschaften der Galliumnitrid-Nanoröhren und der Wachstumszeit eingehend untersucht, um die Empfindlichkeit des Detektors zu verbessern.

β-Ga₂O₃-Nanoporen; AAO-Vorlage; gepulste Laserabscheidung; Halbleitermaterialien mit breiter Bandlücke