Struktur und photoelektrische Eigenschaften von β-Ga2O3-Nanoporen, die durch gepulste Laserabscheidung auf einem AAO-Template gewachsen sind
摘要
Die breitbandige Eigenschaft von Galliumnoxid macht es sehr geeignet für die Herstellung von taglichtblendfreien UV-Photodetektoren. Die Empfindlichkeit von UV-Photodetektoren auf Dünnfilm-Basis ist oft gering. Aufgrund der hohen spezifischen Oberfläche und der hohen Kristallqualität, die eine hohe Stabilität gewährleisten, weisen Nanomaterialien jedoch hervorragende photoelektrische Eigenschaften in Geräteanwendungen auf. In dieser Arbeit wurden β-Ga2O3-Nanoporen erfolgreich mittels gepulster Laserabscheidung (PLD) auf einem doppelt geordneten porösen AAO-Template abgeschieden. Durch die Verwendung des porösen AAO-Templates als Wachstumsraum für Nanomaterialien wurde das Galliumnoxidmaterial in die Kanäle des Templates gefüllt, um eine Nanoröhrenstruktur zu bilden. Durch Optimierung des Herstellungsprozesses wurde die Beziehung zwischen der Leistung der Galliumnoxid-Nanoröhren und der Wachstumszeit eingehend untersucht, was die Empfindlichkeit des Detektors verbessert hat.
关键词
β-Ga2O3-Nanoporen; AAO-Template; gepulste Laserabscheidung; breitbandige Halbleitermaterialien
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