AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能

葛薛豪; 姜凯; 王相虎

doi:10.37188/CJL.20250200

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AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能

更新时间：2025-09-24

- AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能
  增强出版
- Structure and Photoelectric Properties of β-Ga₂O₃ Nanopores Grown by Pulsed Laser Deposition on AAO Templates
- “在日盲紫外光电探测器领域，研究人员取得了重大进展。他们通过PLD在双通道有序多孔AAO模板上成功沉积了β-Ga2O3纳米孔，形成了纳米管结构。通过优化制备工艺，深入研究了氧化镓纳米孔的性能与生长时间之间的关系。响应率达到4.63mA/W，高于硅基氧化镓纳米棒的2.24mA/W。”
- 发光学报 2025年页码：1-7
- 作者机构：
  
  上海电机学院文理学院，上海 200240
- 作者简介：
  
  [ "葛薛豪（2001-），男，江苏苏州人，硕士研究生，2023年于淮阴工学院获得学士学位，主要从事日盲紫外光电探测器研究。E-mail：1398389795@qq.com" ]
  [ "姜凯（1986-），男，山东人，博士，副教授，硕士生导师，2014年于华东师范大学微电子学与固体电子学专业获博士学位，研究方向为原位多维光谱表征技术与调控方法。E-mail：32077@sdju.edu.cn" ]
  [ "王相虎（1976-），男，安徽庐江人，博士，教授，硕士生导师，2007年于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所获博士学位，从事宽禁带半导体材料与器件研究。E-mail：wangxh@sdju.edu.cn" ]
- 基金信息：
  
  the National Natural Science Foundation of China(U22A2073)
- DOI：10.37188/CJL.20250200
  中图分类号： Document
- CSTR：32170.14.CJL.20250200
- 收稿日期：2025-08-13，
  
  修回日期：2025-08-13，
  
  网络出版日期：2025-09-24，
- 稿件说明：
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葛薛豪,姜凯,王相虎.AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能[J].发光学报,

GE Xuehao,JIANG Kai,WANG Xianghu.Structure and Photoelectric Properties of β-Ga₂O₃ Nanopores Grown by Pulsed Laser Deposition on AAO Templates[J].Chinese Journal of Luminescence,
葛薛豪,姜凯,王相虎.AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20250200 CSTR： 32170.14.CJL.20250200.

GE Xuehao,JIANG Kai,WANG Xianghu.Structure and Photoelectric Properties of β-Ga₂O₃ Nanopores Grown by Pulsed Laser Deposition on AAO Templates[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20250200 CSTR： 32170.14.CJL.20250200.

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AAO模板上脉冲激光沉积生长的β-Ga₂O₃纳米孔的结构和光电性能

Structure and Photoelectric Properties of β-Ga₂O₃ Nanopores Grown by Pulsed Laser Deposition on AAO Templates

DOI：10.37188/CJL.20250200