Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的位错与湿法刻蚀

李国鑫; 王佩; 穆文祥; 赵莉莉; 王善朋; 尹延如

doi:10.37188/CJL.20250024

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

Lu₂O₃的位错与湿法刻蚀

材料合成及性能 | 更新时间：2025-06-23

- Lu₂O₃的位错与湿法刻蚀
  增强出版
- Dislocation and Wet Etching of Lu₂O₃
- “报道了激光晶体材料研究的最新进展，以其高导热性、低声子能量和强晶场而闻名的氧化镥（Lu2O3）因其作为激光晶体材料的潜力而受到研究。尽管其熔点高达2450°C，导致明显的温度梯度和缺陷扩散，但对其缺陷的全面了解仍然不足。本研究使用化学蚀刻方法，确定了检查Lu2O3晶体中位错缺陷的最佳条件，为提高晶体质量和优化晶体生长过程提供了解决方案。激光晶体材料领域的专家研究验证了Lu2O3的最佳蚀刻条件，为提高晶体质量奠定了基础。”
- 发光学报 2025年46卷第6期页码：1095-1108
- 作者机构：
  
  1.山东大学晶体材料国家重点实验室，山东济南 250100
  2.济南大学化学与化学工程学院，山东济南 250022
  3.山东大学信息科学与工程学院，山东济南 250100
- 作者简介：
  
  [ "李国鑫（1999-），男，山东淄博人，硕士研究生，2022年于济南大学获得学士学位，主要从事倍半氧化物晶体缺陷的研究。E-mail： 202232812@mail.sdu.edu.cn" ]
  [ "尹延如（1988-），女，山东济南人，博士，长聘副研究员，博士生导师，2017年于山东大学晶体材料研究所获得博士学位，主要从事晶体生长及激光性能方面的研究。E-mail： yyr@sdu.edu.cn" ]
- 基金信息：
  
  National Key Research and Development Program of China(2021YFB3601403);National Natural Science Foundation of China(62105181);Taishan Scholar of Shandong Province(tsqn202306014)
- DOI：10.37188/CJL.20250024
  中图分类号： O482.31
- CSTR：32170.14.CJL.20250024
- 收稿日期：2025-02-02，
  
  修回日期：2025-02-22，
  
  纸质出版日期：2025-06-25
- 稿件说明：
移动端阅览
李国鑫,王佩,穆文祥等.Lu₂O₃的位错与湿法刻蚀[J].发光学报,2025,46(06):1095-1108.

LI Guoxin,WANG Pei,MU Wenxiang,et al.Dislocation and Wet Etching of Lu₂O₃[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(06):1095-1108.
李国鑫,王佩,穆文祥等.Lu₂O₃的位错与湿法刻蚀[J].发光学报,2025,46(06):1095-1108. DOI： 10.37188/CJL.20250024. CSTR： 32170.14.CJL.20250024.

LI Guoxin,WANG Pei,MU Wenxiang,et al.Dislocation and Wet Etching of Lu₂O₃[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(06):1095-1108. DOI： 10.37188/CJL.20250024. CSTR： 32170.14.CJL.20250024.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据

Lu2O3的位错与湿法刻蚀

Dislocation and Wet Etching of Lu2O3

DOI：10.37188/CJL.20250024

Lu₂O₃的位错与湿法刻蚀

Dislocation and Wet Etching of Lu₂O₃