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从单晶MgZnO到非晶Ga2O3：深紫外光电探测器的发展和选择
特邀报告 | 更新时间：2025-03-24
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    • 从单晶MgZnO到非晶Ga2O3：深紫外光电探测器的发展和选择

      增强出版

    • Deep UV Detection： from Single-crystalline MgZnO to Amorphous Ga2O3

    • “据最新报道，宽带隙氧化物半导体深紫外探测器研究取得重要进展，非晶Ga2O3薄膜展现出优异的深紫外响应特性，为未来深紫外探测产业应用奠定基础。”
    • 发光学报   2025年46卷第3期 页码：399-411

    • DOI：10.37188/CJL.20240266    

      中图分类号： O482.31;TN366
    • CSTR：32170. 14. CJL. 20240266    

    • 收稿日期：2024-10-20，

      修回日期：2024-11-14，

      纸质出版日期：2025-03-25

    移动端阅览

  • 梁会力,朱锐,杜小龙等.从单晶MgZnO到非晶Ga2O3：深紫外光电探测器的发展和选择[J].发光学报,2025,46(03):399-411. DOI： 10.37188/CJL.20240266. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240266.

    LIANG Huili,ZHU Rui,DU Xiaolong,et al.Deep UV Detection： from Single-crystalline MgZnO to Amorphous Ga2O3[J].Chinese Journal of Luminescence,2025,46(03):399-411. DOI： 10.37188/CJL.20240266. CSTR： 32170. 14. CJL. 20240266.

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梁会力
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松山湖材料实验室
哈尔滨师范大学 物理与电子工程学院， 光电带隙材料教育部重点实验室
吉林大学 电子科学与工程学院， 集成光电子学国家重点联合实验室
长春理工大学 光电工程学院
哈尔滨工业大学 物理学院
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