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从单晶MgZnO到非晶Ga2O3：深紫外光电探测器的发展和选择
更新时间：2024-12-30
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    • 从单晶MgZnO到非晶Ga2O3：深紫外光电探测器的发展和选择

      增强出版

    • Deep UV detection: from single-crystalline MgZnO to amorphous Ga2O3

    • “据最新报道，宽带隙氧化物半导体深紫外探测器研究取得进展，非晶Ga2O3薄膜性能优异，氧空位缺陷调控提升器件性能，为深紫外探测应用奠定基础。”
    • 发光学报   2024年 页码：1-13

    • DOI：10.37188/CJL.20240266    

      中图分类号：
    • CSTR：32170.14.CJL.20240266    

    • 网络出版日期：2024-12-19，

      收稿日期：2024-10-20，

      修回日期：2024，

    移动端阅览

  • 梁会力, 朱锐, 杜小龙, 等. 从单晶MgZnO到非晶Ga2O3：深紫外光电探测器的发展和选择[J/OL]. 发光学报, 2024,1-13. DOI： 10.37188/CJL.20240266. CSTR： 32170.14.CJL.20240266.

    LIANG HUILI, ZHU RUI, DU XIAOLONG, et al. Deep UV detection: from single-crystalline MgZnO to amorphous Ga2O3. [J/OL]. Chinese journal of luminescence, 2024, 1-13. DOI： 10.37188/CJL.20240266. CSTR： 32170.14.CJL.20240266.

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