Широкозонные полупроводники обладают огромным потенциалом для разработки компактных дневных слепых ультрафиолетовых детекторов без фильтров. В данной статье на основе опыта нашей команды в области молекулярно-пучковой эпитаксии монокристаллических пленок MgZnO и магнитно-реактивного распыления аморфных пленок Ga₂O₃, а также соответствующих дневных слепых УФ-детекторов, представлен обзор прогресса в исследовании детекторов глубокого ультрафиолета на основе широкозонных оксидных полупроводников, представленных MgZnO и аморфным Ga₂O₃. Обнаружено, что аморфные пленки Ga₂O₃ обладают характеристиками глубокоуф-ответа, не уступающими монокристаллическим пленкам. Многочисленные исследования показывают, что дефекты, связанные с кислородными вакансиями, играют решающую роль в работе устройств, и их разумное регулирование может эффективно повысить производительность устройств. Кроме того, эффект устойчивой фотопроводимости, связанный с кислородными вакансиями, открывает новые перспективы для разработки глубокоуфотонных фотосинаптических устройств. В заключение проанализированы имеющиеся проблемы, с надеждой на дальнейшее продвижение промышленных приложений широкозонных оксидных полупроводниковых материалов, особенно аморфного Ga₂O₃, в области глубокого ультрафиолетового детектирования в будущем.

Дневной слепой ультрафиолет;фотоэлектрический детектор;магний-цинковый оксид;оксид галлия;аморфный