Полупроводники с широкой запрещённой зоной обладают огромным потенциалом для разработки компактных дневнослепых ультрафиолетовых детекторов без фильтров. В данной статье, основываясь на опыте нашей команды в области молекулярно-лучевой эпитаксии монокристаллических пленок MgZnO и магнетронного распыления аморфных пленок Ga₂O₃, а также соответствующих дневнослепых УФ-детекторов, представлен обзор исследований глубокоультрафиолетовых детекторов на основе широкозонных оксидных полупроводников MgZnO и аморфного Ga₂O₃. Обнаружено, что аморфные пленки Ga₂O₃ обладают характеристиками отклика в глубоком ультрафиолете, не уступающими монокристаллическим пленкам. Многочисленные исследования показывают, что кислородные вакансии играют ключевую роль в работе устройств, и разумное регулирование этих дефектов позволяет значительно улучшить производительность. Кроме того, устойчивый фотопроводящий эффект, связанный с кислородными вакансиями, открывает новые перспективы для разработки фотонейронных устройств глубокого ультрафиолета. В заключение проводится анализ существующих проблем, с надеждой на дальнейшее развитие и промышленное применение широкозонных оксидных полупроводниковых материалов, особенно аморфного Ga₂O₃, в области глубокого ультрафиолетового детектирования.

дневнослепой ультрафиолет; фотодетектор; магний-цинк-оксид; оксид галлия; аморфный