Les semi-conducteurs à large bande interdite présentent un potentiel considérable pour le développement de détecteurs ultraviolets compacts sans filtre et insensibles à la lumière du jour. Cet article, combinant l'expérience de notre équipe dans la croissance par épitaxie par faisceau moléculaire de films monocristallins MgZnO et par pulvérisation cathodique magnétron de films amorphes Ga₂O₃, ainsi que des détecteurs UV insensibles à la lumière du jour correspondants, passe en revue les progrès des détecteurs UV lointains à base d’oxydes semi-conducteurs à large bande, représentés par MgZnO et Ga₂O₃ amorphe. Il a été constaté que les films amorphes de Ga₂O₃ présentent des caractéristiques de réponse UV lointain comparables aux films monocristallins. De nombreuses études montrent que les défauts liés aux lacunes en oxygène jouent un rôle crucial dans les performances des dispositifs, et leur réglage approprié peut améliorer efficacement les performances. De plus, l'effet de photoconductivité persistante associé aux défauts des lacunes en oxygène offre une nouvelle perspective pour le développement de dispositifs photones synaptiques UV lointains. Enfin, les problèmes existants dans les recherches précédentes sont analysés et résumés, dans l’espoir de promouvoir davantage les applications industrielles des semi-conducteurs à large bande, en particulier des matériaux amorphes Ga₂O₃, dans les détecteurs UV lointains futurs.

UV insensible à la lumière du jour; détecteur photoélectrique; oxyde de magnésium et de zinc; oxyde de gallium; amorphe