您当前的位置:
首页 >
文章列表页 >
掺杂的Bi4Ge3O12晶体的近红外发光性能
材料合成及性能 | 更新时间:2020-08-12
    • 掺杂的Bi4Ge3O12晶体的近红外发光性能

    • Near-infrared Luminescence in Doped Bi4Ge3O12 Crystals

    • 发光学报   2015年36卷第3期 页码:283-287
    • DOI:10.3788/fgxb20153603.0283    

      中图分类号: O482.31
    • 纸质出版日期:2015-3-3

      网络出版日期:2014-12-31

      收稿日期:2014-11-27

      修回日期:2015-1-6

    扫 描 看 全 文

  • 俞平胜, 苏良碧, 徐军. 掺杂的Bi<sub>4</sub>Ge<sub>3</sub>O<sub>12</sub>晶体的近红外发光性能[J]. 发光学报, 2015,36(3): 283-287 DOI: 10.3788/fgxb20153603.0283.

    YU Ping-sheng, SU Liang-bi, XU Jun. Near-infrared Luminescence in Doped Bi<sub>4</sub>Ge<sub>3</sub>O<sub>12 </sub>Crystals[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(3): 283-287 DOI: 10.3788/fgxb20153603.0283.

  •  
  •  

0

浏览量

37

下载量

0

CSCD

文章被引用时,请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

深紫外AlGaN基多量子阱结构中载流子辐射复合的局域特征
Sr6Lu2Al4O15∶Tb3+荧光粉的发光特性
一维光子晶体带边态模式调控的胶体量子点发光性能
颜色可调CsLa(WO42∶Pr3+荧光粉的光致发光和温度传感特性
Cd2+掺杂Cs2ZnCl4黄光荧光粉及其光学性能

相关作者

邓建阳
贺龙飞
武智波
李睿
徐明升
王成新
徐现刚
冀子武

相关机构

山东大学 微电子学院, 新一代半导体材料研究院
广 东省科学院 半导体研究所
山东浪潮华光光电子股份有限公司
长春师范大学 物理学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室
0