Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征

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Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征

半导体发光、激光和光电性质 | 更新时间：2020-08-12

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- Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征
- Preparation and Characterization of Cu-doped ZnO Nano Materials
- 发光学报 2013年34卷第2期页码：139-143
- 作者机构：
  
  哈尔滨工业大学材料科学与工程学院光电信息材料与量子器件系, 黑龙江哈尔滨 150001
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-10-0066)();科技部"();863"();项目(2013AA031502)();哈尔滨市科技创新项目(2
- DOI：10.3788/fgxb20133402.0139
  中图分类号： O472
- 纸质出版日期：2013-2-10，
  
  收稿日期：2012-10-21，
  
  修回日期：2012-12-10，
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兰飞飞, 王金忠, 王敦博, 黎倩, 颜源, 于清江, 高世勇, 矫淑杰. Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征[J]. 发光学报, 2013,34(2): 139-143

LAN Fei-fei, WANG Jin-zhong, WANG Dun-bo, LI Qian, YAN Yuan, YU Qing-jiang, GAO Shi-yong, JIAO Shu-jie. Preparation and Characterization of Cu-doped ZnO Nano Materials[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013,34(2): 139-143
兰飞飞, 王金忠, 王敦博, 黎倩, 颜源, 于清江, 高世勇, 矫淑杰. Cu掺杂ZnO纳米材料的制备及表征[J]. 发光学报, 2013,34(2): 139-143 DOI： 10.3788/fgxb20133402.0139.

LAN Fei-fei, WANG Jin-zhong, WANG Dun-bo, LI Qian, YAN Yuan, YU Qing-jiang, GAO Shi-yong, JIAO Shu-jie. Preparation and Characterization of Cu-doped ZnO Nano Materials[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013,34(2): 139-143 DOI： 10.3788/fgxb20133402.0139.

摘要

利用CuO作为前驱体对ZnO进行了Cu掺杂研究

分别在不同温度下获得了ZnO纳米带及有纳米带构成的微米花状结构

对其生长机理进行了分析。并且以Cu片为衬底获得了ZnO的纳米梳以及有纳米梳构成的多层结构ZnO。XRD表明产物中只有ZnO单质相的存在

EDS证明产物中存在Cu元素。ZnO室温下的PL谱表明其UV与深能级发射强度比随Cu掺杂量的增加而变大

说明Cu的掺杂能够降低ZnO的缺陷峰强度。

Abstract

Cu-doped ZnO samples were prepared by CVD under different growth temperature

and their growth mechanism was analyzed. The samples were characterized by X-ray diffraction patterns

SEM

and PL spectra. XRD patterns confirm that the samples are polycrystal and show single ZnO hexagonal phase. EDS analysis proved that Cu is doped in ZnO samples. Room temperature PL spectra indicate that the intensity ratio of UV to deep energy level emission increases with Cu content in ZnO

which implies the introduction of Cu causes the decreases in the emission related to defects.

关键词

ZnOCu掺杂光致发光

Keywords

ZnOCu dopingphotoluminescence

references

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